Qualcomm распахнула подробности о приготовляющемся к релизу флагманском чипсете Snapdragon 820, а также анонсировала два новых чипсета для смартфонов эконом - класса.
В частности, в состав Snapdragon 820 войдет новый модем X12 LTE, в каком будет продана поддержка LTE Cat. 12 и Cat. 13, что позволит получать скорости до 600 Мбит/сек в прямом канале с модуляцией 256-QAM и до 150 Мбит/сек в обратном с модуляцией 64-QAM. Правда, таких сетей пока нигде во всем мире нет.
Кроме того, модем поддерживает технологию LTE-U, говоря другими словами, использования для LTE нелицензируемого спектра, предпочтительно в диапазоне 5 ГГц. Также он поддерживает бесшовное переключение между сетями Wi-Fi и LTE без прерывания сессии (LWA), а так же для звонков VoLTE и ViLTE: качество канала беспрерывно мониторится и в случае необходимости происходит передача звонка из одной сети в иную. Более того, модем умеет дополнительно сжимать дар божий, передаваемые в обратном канале.
Тюнер QFE2550 в составе чипсета поддерживает рамочные антенны, применение которых позволит избавиться от проблем с качеством приема у смартфонов в металлических корпусах. Поддерживается также несколько схем общего использования антенн для LTE и Wi-Fi, что упрощает производителям разработку устройств с поддержкой LTE-U, 4x4 MIMO, 2-поточного Wi-Fi и других технологий, поддерживаемых чипсетом. Устройства на 820-ом чипсете явятся в первой половине 2016 года.
Новый чипсет Qualcomm Snapdragon 430 содержит 8 ядер ARM Cortex-A53, новый графический ускоритель Adreno 505 и модем X6 LTE с поддержкой LTE Cat.4/5 (150 Мбит/сек в прямом и 75 Мбит/сек в обратном каналах). Чипсет Snapdragon 617, в свой черед, отличается от него встроенным модемом X8 с поддержкой LTE Cat.7 (300 и 100 Мбит/сек в прямом и обратном каналах соответственно).
Также было анонсировано третье поколение технологии зарядки Quick Charge 3.0, которая впервые использует инновационный алгоритм Intelligent Negotiation for Optimum Voltage (INOV), дозволяющий портативным устройствам самим запрашивать наиболее оптимальный уровень питанья при сохранении максимальной эффективности. С помощью технологии Quick Charge 3.0 устройство можно зарядить с нуля до 80% заряда за 35 минут.
Эта технология поддерживается в обоих новых чипсетах, а также будет продана в 820, 620 и 618-ых Snapdragon.